Nordiko 5000配置生长腔

这个新的5000系列使用一个反应腔设计能为不同的生长功能而配置。这些包括物理气相沉积(物理气相沉积,或溅射),真空喷镀(热和电子束),反应离子蚀刻(RIE),高密度增强离子化学气相沉积(HD PECVD),真空退火和精确氧化。
多种晶片操作解决方案可以获得,从单一晶片,单一进入真空进样,通过平台构成双真空弹夹进样,和转移腔掩护双点受动器多轴遥控装置。后者可以容纳最大6个5000生长腔。

5000附加SEMI标准晶片处理平台。